Un semiconductor de tipo p es un tipo de semiconductor en el que predominan los huecos como portadores mayoritarios de carga. Se obtiene añadiendo al semiconductor intrínseco (por ejemplo silicio o germanio) impurezas trivalentes: estas impurezas se conocen como aceptores porque aceptan un electrón del material anfitrión y dejan un hueco libre. Entre las impurezas aceptoras más habituales están el boro, el galio, el indio y el aluminio.

Los semiconductores ordinarios están formados por materiales que no conducen (o transportan) muy bien la corriente eléctrica, pero tampoco son aislantes puros: están a medio camino entre los conductores y los aislantes. La corriente se produce por movimiento de portadores de carga (electrones y huecos). En un semiconductor tipo p hay más huecos que electrones: los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son minoritarios.

Explicación atómica y de bandas

El silicio, por ejemplo, tiene cuatro electrones en su capa de valencia. Cuando se sustituye un átomo de silicio por un átomo trivalente (con tres electrones de valencia), falta un electrón para completar el enlace covalente: esa ausencia se comporta como un hueco. En términos de bandas de energía, los átomos aceptores introducen un nivel de energía ligeramente por encima de la banda de valencia (nivel aceptador). A temperatura ambiente, estos niveles pueden ionizarse térmicamente liberando un hueco en la banda de valencia y quedando el átomo aceptador cargado negativamente.

Cómo conducen los semiconductores tipo p

  • Movimiento de huecos: el flujo de corriente eléctrica se puede describir como movimiento de huecos que se desplazan por la red al rellenarse y formarse enlaces covalentes vecinos. Físicamente es el movimiento de electrones que «salta» para ocupar huecos adyacentes, produciendo la apariencia de desplazamiento de carga positiva.
  • Portadores mayoritarios y minoritarios: en p-type los huecos son mayoritarios; los electrones libres son minoritarios y su densidad depende del nivel de dopado y de la temperatura.
  • Direccionalidad: un semiconductor p homogéneo conduce en ambas direcciones si se aplica una diferencia de potencial. La característica unidireccional típica (como en un diodo) aparece cuando se forma una unión p-n entre material p y material n.
  • Recombinación y generación: huecos y electrones pueden recombinarse (anularse mutuamente) o generarse por excitación térmica o por luz (efecto fotovoltaico).

Dopaje: cómo se realiza y qué efectos tiene

El proceso de añadir impurezas se llama dopaje. Hay varias técnicas para introducir aceptores en el cristal semiconductor:

  • Difusión térmica: exposición del wafer a un gas con el dopante a alta temperatura para que los átomos penetren en la superficie.
  • Implantación iónica: bombardeo controlado de iones del dopante seguido normalmente de un tratamiento térmico para reparar la red cristalina.
  • Crecimiento epitaxial: depositar capas con la concentración deseada de dopante durante el crecimiento del material.

La concentración de dopantes determina la conductividad: concentraciones típicas en silicio van desde ~1013 cm−3 (doping muy ligero) hasta ~1019 cm−3 o más (doping degenerado). A mayor dopado, mayor densidad de huecos y menor resistividad, pero también cambian otros parámetros como la movilidad de los portadores y las propiedades ópticas.

Propiedades prácticas y aplicaciones

  • Diurnas y transistores: las regiones p son esenciales para formar uniones p-n y para estructuras de transistores bipolares (base/emisor/colector) y MOSFET (canales p o pozos p en sustratos n).
  • Celdas solares: muchas células fotovoltaicas usan capas p en contacto con capas n para separar cargas generadas por la luz.
  • Sensores y detectores: fotodiodos y sensores químicos aprovechan regiones p para controlar la respuesta eléctrica.
  • Control de resistividad: el dopado p se usa para ajustar la conductividad en interconexiones y capas de contacto en dispositivos integrados.

Consideraciones adicionales

  • Dependencia con la temperatura: al aumentar la temperatura se incrementa la generación térmica de portadores; en niveles de dopado moderados la concentración de huecos sigue dominada por los aceptores hasta que la generación intrínseca se vuelve relevante.
  • Compensación: la presencia simultánea de impurezas donadoras y aceptadoras puede compensar el efecto de cada una; el material resultante será p si predominan aceptores o n si predominan donadores.
  • Movilidad: la movilidad de los huecos suele ser menor que la de los electrones en un mismo material, lo que afecta la conductividad y la velocidad de los dispositivos.

En resumen, un semiconductor tipo p se obtiene dopando un semiconductor intrínseco con átomos trivalentes que crean huecos como portadores mayoritarios. Su comportamiento se entiende tanto a nivel atómico (huecos y enlaces) como a nivel de bandas (niveles aceptores), y es fundamental en la fabricación de diodos, transistores, células solares y otros dispositivos electrónicos.