Transistor bipolar de heterounión

El transistor bipolar de heterounión (HBT) es un tipo de transistor de unión bipolar (BJT) que utiliza diferentes materiales semiconductores para las regiones emisora y base, formando una heterounión. El HBT puede manejar señales de frecuencias mucho más altas, (hasta varios cientos de GHz) que el BJT. Los HBT se utilizan habitualmente en los modernos circuitos ultrarrápidos, sobre todo en los sistemas de radiofrecuencia (RF), y en aplicaciones que requieren una alta eficiencia energética, como los amplificadores de potencia de RF en los teléfonos móviles. La idea de utilizar una heterojunción es tan antigua como el BJT convencional, y se remonta a una patente de 1951.

Materiales

La principal diferencia entre el BJT y el HBT radica en el uso de diferentes materiales semiconductores para las regiones emisora y base, haciendo una heterounión. Esto limita la inyección de huecos desde la base a la región emisora, ya que la barrera de potencial en la banda de valencia es mayor que en la banda de conducción. A diferencia de la tecnología BJT, esto permite utilizar una alta densidad de dopaje en la base. La alta densidad de dopaje reduce la resistencia de la base manteniendo la ganancia. La eficiencia de la heterojunción se mide por el factor Kroemer.

Bandas en el transistor bipolar npn de heterounión graduada. Barreras indicadas para que los electrones se muevan del emisor a la base, y para que los huecos se inyecten hacia atrás desde la base al emisor; Además, la gradación de la brecha de banda en la base ayuda al transporte de electrones en la región de la base; Los colores claros indican las regiones agotadasZoom
Bandas en el transistor bipolar npn de heterounión graduada. Barreras indicadas para que los electrones se muevan del emisor a la base, y para que los huecos se inyecten hacia atrás desde la base al emisor; Además, la gradación de la brecha de banda en la base ayuda al transporte de electrones en la región de la base; Los colores claros indican las regiones agotadas

Preguntas y respuestas

P: ¿Qué es un transistor bipolar de heterounión (HBT)?



R: El transistor bipolar de heterounión (HBT) es un tipo de transistor de unión bipolar (BJT) que utiliza diferentes materiales semiconductores para las regiones emisora y base, formando una heterounión.

P: ¿En qué se diferencia el HBT del BJT?



R: Los HBT pueden manejar señales de frecuencias mucho más altas, de hasta varios cientos de GHz, que los BJT.

P: ¿Cuáles son algunas de las aplicaciones de los HBT?



R: Los HBT se utilizan habitualmente en circuitos ultrarrápidos modernos, sobre todo en sistemas de radiofrecuencia (RF), y en aplicaciones que requieren una alta eficiencia energética, como los amplificadores de potencia de RF de los teléfonos móviles.

P: ¿Cuándo se introdujo la idea de utilizar una heterounión en los BJT?



R: La idea de utilizar una heterounión es tan antigua como el BJT convencional, ya que se remonta a una patente de 1951.

P: ¿Cuál es la ventaja de utilizar HBT en sistemas de RF?



R: Los HBT pueden manejar señales de frecuencias mucho más altas, de hasta varios cientos de GHz, que los BJT, y se utilizan habitualmente en circuitos ultrarrápidos modernos, sobre todo en sistemas de radiofrecuencia (RF).

P: ¿Cuál es la ventaja de utilizar HBT en teléfonos móviles?



R: Los HBT se suelen utilizar en aplicaciones que requieren una alta eficiencia energética, como los amplificadores de potencia de RF de los teléfonos móviles.

P: ¿Qué regiones se utilizan en los HBT?



R: Los HBT utilizan diferentes materiales semiconductores para las regiones emisora y base, formando una heterounión.

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